超低功耗CMOS16MbitSRAM

IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit静态RAM，组织为1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。 IS62WV102416DALL/DBLL和IS65WV102416DALL / DBLL封装在48引脚TSOP（I型）中。
 
功能说明
SRAM 是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。
 
待机模式
取消选择时，设备进入待机模式（HIGH或CS2 LOW或两者都为HIGH）。输入和输出引脚（I / O0-15）处于高阻抗状态。根据输入电平，此模式下的电流消耗为ISB1或ISB2。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。
 
写模式
选择芯片时（LOW和CS2 HIGH），写使能（）输入LOW时的写操作问题。输入和输出引脚（I / O0-15）处于数据输入模式。即使为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。并启用字节写入功能。通过启用LOW，来自I / O引脚（I / O0至I / O7）的数据被写入该位置。

在地址引脚上指定。处于低电平时，来自I / O引脚（I / O8至I / O15）的数据被写入该位置。
 
读取模式
选择芯片时（LOW和CS2为HIGH），写使能（）输入为HIGH时，读操作出现问题。当为低电平时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。并启用字节读取功能。通过启用LOW，来自存储器的数据出现在I / O0-7上。处于低电平时，来自内存的数据将出现在I / O8-15上。
 
在读取模式下，可以通过拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为READ操作，但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。
 
工作温度范围
商用工作温度为0°C至+ 70°C ，电压为2.2V 3.3V 3.6V
工业工作温度为-40°C至+ 85°C ，电压为2.2V 3.3V 3.6V
汽车类工作温度为 -40°C至+ 125°C，电压为2.2V 3.3V 3.6V

创新互联坚持“要么做到，要么别承诺”的工作理念，服务领域包括：成都网站建设、成都做网站、企业官网、英文网站、手机端网站、网站推广等服务，满足客户于互联网时代的浦北网站设计、移动媒体设计的需求，帮助企业找到有效的互联网解决方案。努力成为您成熟可靠的网络建设合作伙伴！

当前题目：超低功耗CMOS16MbitSRAM
分享网址：https://www.cdcxhl.com/article20/jsseco.html

成都网站建设公司_创新互联，为您提供网站改版、App开发、域名注册、动态网站、标签优化、定制开发

广告

声明：本网站发布的内容（图片、视频和文字）以用户投稿、用户转载内容为主，如果涉及侵权请尽快告知，我们将会在第一时间删除。文章观点不代表本网站立场，如需处理请联系客服。电话：028-86922220；邮箱：631063699@qq.com。内容未经允许不得转载，或转载时需注明来源： 创新互联